Hersteller Produktnummer:
DN2530N3-G
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
DN2530N3-G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 300V 175MA TO92
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 300 V 175mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventar:
16149 Stück Neu Original Auf Lager
12818737
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DN2530N3-G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bag
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
300 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
175mA (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
0V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12Ohm @ 150mA, 0V
vgs(th) (max.) @ id
-
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
300 pF @ 25 V
FET-Funktion
Depletion Mode
Verlustleistung (max.)
740mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92 (TO-226)
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Basis-Produktnummer
DN2530
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
PCN-Design/Spezifikation
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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