Hersteller Produktnummer:
APT7M120B
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
APT7M120B-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 8A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 8A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Inventar:
13254190
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APT7M120B Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2565 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
335W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247 [B]
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
APT7M120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
APT7M120BMI
APT7M120BMI-ND
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFH6N120P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
282
TEILNUMMER
IXFH6N120P-DG
Einheitspreis
6.03
ERSATZART
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