Hersteller Produktnummer:
APT60N60BCSG
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
APT60N60BCSG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 60A (Tc) 431W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Inventar:
137 Stück Neu Original Auf Lager
13254570
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APT60N60BCSG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 3mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7200 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
431W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247 [B]
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
APT60N60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
APT60N60BCSGMI
APT60N60BCSGMI-ND
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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