Hersteller Produktnummer:
APT58M50JU3
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
APT58M50JU3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 58A SOT227
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 58A (Tc) 543W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Inventar:
13260406
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APT58M50JU3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
POWER MOS 8™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 42A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
340 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
543W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-227
Paket / Koffer
SOT-227-4, miniBLOC
Basis-Produktnummer
APT58M50
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFN80N50Q3
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
10
TEILNUMMER
IXFN80N50Q3-DG
Einheitspreis
38.11
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