Hersteller Produktnummer:
APT28M120L
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
APT28M120L-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 29A TO264
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 29A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Inventar:
25 Stück Neu Original Auf Lager
13253775
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APT28M120L Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Tube
Reihe
POWER MOS 8™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
530mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9670 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1135W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-264 [L]
Paket / Koffer
TO-264-3, TO-264AA
Basis-Produktnummer
APT28M120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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