APT23F60B
Hersteller Produktnummer:

APT23F60B

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

APT23F60B-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 415W (Tc) Through Hole TO-247 [B]

Inventar:

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APT23F60B Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Tube
Reihe
POWER MOS 8™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4415 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
415W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247 [B]
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
APT23F60

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
APT23F60B/S High-Voltage Power Discretes and Modules

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IXTH30N60P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
648
TEILNUMMER
IXTH30N60P-DG
Einheitspreis
5.55
ERSATZART
Similar
Teilenummer
IXTH30N60L2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
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IXTH30N60L2-DG
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12.61
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5.53
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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