APT14M100B
Hersteller Produktnummer:

APT14M100B

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

APT14M100B-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 14A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 [B]

Inventar:

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APT14M100B Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Tube
Reihe
POWER MOS 8™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3965 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247 [B]
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
APT14M100

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
APT14M100B,S High-Voltage Power Discretes and Modules

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30
Andere Namen
APT14M100BMP
APT14M100BMP-ND

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IXFH16N120P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
998
TEILNUMMER
IXFH16N120P-DG
Einheitspreis
13.14
ERSATZART
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Teilenummer
IXFR15N100Q3
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certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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