Hersteller Produktnummer:
2N6660
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
2N6660-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 410MA TO39
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 410mA (Ta) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventar:
2405 Stück Neu Original Auf Lager
13036055
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2N6660 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bag
Reihe
-
Verpackung
Bag
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
410mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
50 pF @ 24 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
6.25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-39
Paket / Koffer
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
2N6660MC
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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