2N6511
Hersteller Produktnummer:

2N6511

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

2N6511-DG

Beschreibung:

POWER BJT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 7 A 120 W Through Hole TO-204AD (TO-3)

Inventar:

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13000767
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2N6511 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
7 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
250 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 800µA, 4mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
-
Leistung - Max
120 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-204AA, TO-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-204AD (TO-3)

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
150-2N6511

Umwelt- und Exportklassifizierung

REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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