Hersteller Produktnummer:
2N6308
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
2N6308-DG
Beschreibung:
NPN TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 8 A 125 W Through Hole TO-204AD (TO-3)
Inventar:
13251081
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2N6308 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
8 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
350 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
5V @ 2.67A, 8A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
12 @ 3A, 5V
Leistung - Max
125 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-204AA, TO-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-204AD (TO-3)
Basis-Produktnummer
2N6308
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
2N4233A
PNP TRANSISTOR
JANS2N3501UB
TRANS NPN 150V 0.3A UB
2N2605UB
TRANS PNP 60V 0.03A UB
