Hersteller Produktnummer:
2N6211P
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
2N6211P-DG
Beschreibung:
POWER BJT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 225 V 2 A 3 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Inventar:
12979613
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2N6211P Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
225 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.4V @ 125mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
5mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 1A, 5V
Leistung - Max
3 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 200°C
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-213AA, TO-66-2
Gerätepaket für Lieferanten
TO-66 (TO-213AA)
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
150-2N6211P
Umwelt- und Exportklassifizierung
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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