2N4301
Hersteller Produktnummer:

2N4301

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

2N4301-DG

Beschreibung:

POWER BJT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 10 A 87 W Stud Mount TO-61

Inventar:

12983032
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

2N4301 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
-
Leistung - Max
87 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Stud Mount
Paket / Koffer
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Gerätepaket für Lieferanten
TO-61

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
150-2N4301

Umwelt- und Exportklassifizierung

REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
microchip-technology

2N4387

POWER BJT

microchip-technology

JANTXV2N2906AUBC

SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2N5663

POWER BJT

microchip-technology

JANSD2N5152U3

RH POWER BJT