Hersteller Produktnummer:
2N3879A
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
2N3879A-DG
Beschreibung:
POWER BJT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 75 V 7 A 35 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Inventar:
12980782
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2N3879A Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
7 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
75 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.2V @ 400mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
25mA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
20 @ 4A, 5V
Leistung - Max
35 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-213AA, TO-66-2
Gerätepaket für Lieferanten
TO-66 (TO-213AA)
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
150-2N3879A
Umwelt- und Exportklassifizierung
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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