2N3838/TR
Hersteller Produktnummer:

2N3838/TR

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

2N3838/TR-DG

Beschreibung:

TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 600mA 350mW Surface Mount 6-Flatpack

Inventar:

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12956890
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2N3838/TR Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN, PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
40V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
400mV @ 15mA, 150mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Leistung - Max
350mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-FlatPack
Gerätepaket für Lieferanten
6-Flatpack
Basis-Produktnummer
2N3838

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
100
Andere Namen
150-2N3838/TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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