Hersteller Produktnummer:
2N2780
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
2N2780-DG
Beschreibung:
POWER BJT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 30 A 200 W Stud Mount TO-63
Inventar:
12983859
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2N2780 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
30 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
300 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
-
Leistung - Max
200 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Stud Mount
Paket / Koffer
TO-211MB, TO-63-4, Stud
Gerätepaket für Lieferanten
TO-63
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
150-2N2780
Umwelt- und Exportklassifizierung
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
JANSM2N5152
RH POWER BJT
JANTX2N4033UA/TR
SMALL-SIGNAL BJT
2N744
SMALL-SIGNAL BJT