Hersteller Produktnummer:
MSJP20N65-BP
Product Overview
Hersteller:
Micro Commercial Co
Teilenummer:
MSJP20N65-BP-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 151W (Tc) Through Hole TO-220AB (H)
Inventar:
12921762
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Menge
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MSJP20N65-BP Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Micro Commercial Components (MCC)
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1724 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
151W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB (H)
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
MSJP20
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
353-MSJP20N65-BP
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
GC20N65T
HERSTELLER
Goford Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
4000
TEILNUMMER
GC20N65T-DG
Einheitspreis
0.99
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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