MCG55P02A-TP
Hersteller Produktnummer:

MCG55P02A-TP

Product Overview

Hersteller:

Micro Commercial Co

Teilenummer:

MCG55P02A-TP-DG

Beschreibung:

P-CHANNEL MOSFET, DFN3333
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 55A 3.2W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount DFN3333

Inventar:

13800 Stück Neu Original Auf Lager
12996796
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

MCG55P02A-TP Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Micro Commercial Components (MCC)
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
55A
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.3mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
149 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6358 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.2W (Ta), 38W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DFN3333
Paket / Koffer
8-VDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
MCG55P02

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
353-MCG55P02A-TPCT
353-MCG55P02A-TPTR
353-MCG55P02A-TPDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
harris-corporation

HP4936DY

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

fairchild-semiconductor

IRFR420T

2.5A, 500V, 3OHM, N-CHANNEL MOSF

goford-semiconductor

GT065P06T

P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTH

nxp-semiconductors

PSMN6R0-25YLD115

NEXPERIA PSMN6R0-25YLD - POWER F