Hersteller Produktnummer:
VMO580-02F
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
VMO580-02F-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 580A Y3-LI
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 580A (Tc) Chassis Mount Y3-Li
Inventar:
12819382
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Menge
Mindestens 1
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EINREICHEN
VMO580-02F Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
580A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 430A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 50mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2750 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Y3-Li
Paket / Koffer
Y3-Li
Basis-Produktnummer
VMO580
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2
Andere Namen
VMO580-02F-NDR
Q1221985A
VMO58002F
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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