Hersteller Produktnummer:
MMIX1F180N25T
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
MMIX1F180N25T-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 132A 24SMPD
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 132A (Tc) 570W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
Inventar:
20 Stück Neu Original Auf Lager
12822065
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MMIX1F180N25T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
132A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
364 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
23800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
570W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
24-SMPD
Paket / Koffer
24-PowerSMD, 21 Leads
Basis-Produktnummer
MMIX1F180
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
20
Andere Namen
-MMIX1F180N25T
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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