Hersteller Produktnummer:
MCB60I1200TZ
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
MCB60I1200TZ-DG
Beschreibung:
1200V 90A SIC POWER MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 90A (Tc) Surface Mount TO-268AA (D3Pak-HV)
Inventar:
12915364
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
MCB60I1200TZ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 50A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 15mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2790 pF @ 1000 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-268AA (D3Pak-HV)
Paket / Koffer
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Basis-Produktnummer
MCB60I1200
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
Q10970246
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRFPG40
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3
SI4160DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
SI4888DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO