IXTY1R4N120P
Hersteller Produktnummer:

IXTY1R4N120P

Product Overview

Hersteller:

IXYS

Teilenummer:

IXTY1R4N120P-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 1.4A (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

12821611
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IXTY1R4N120P Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Polar
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 100µA
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IXTY1

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
70

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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