Hersteller Produktnummer:
IXTY01N100
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTY01N100-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 100mA (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
24548 Stück Neu Original Auf Lager
12820765
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IXTY01N100 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
80Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
54 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IXTY01
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
70
Andere Namen
IXTY01N100TR
IXTY01N100TR-DG
IXTY01N100CT-DG
490458
IXTY01N100TRINACTIVE
IXTY01N100DKR-DG
Q3218405
IXTY01N100DKR
IXTY01N100DKRINACTIVE
IXTY01N100CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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