Hersteller Produktnummer:
IXTX6N200P3HV
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTX6N200P3HV-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 2000V 6A TO247PLUSHV
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 2000 V 6A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-247PLUS-HV
Inventar:
12820277
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IXTX6N200P3HV Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Polar P3™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
2000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3700 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
960W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247PLUS-HV
Paket / Koffer
TO-247-3 Variant
Basis-Produktnummer
IXTX6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
-IXTX6N200P3HV
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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