Hersteller Produktnummer:
IXTX110N20L2
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTX110N20L2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 110A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventar:
700 Stück Neu Original Auf Lager
12820709
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EINREICHEN
IXTX110N20L2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Linear L2™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 3mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
500 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
23000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
960W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PLUS247™-3
Paket / Koffer
TO-247-3 Variant
Basis-Produktnummer
IXTX110
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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