IXTU4N70X2
Hersteller Produktnummer:

IXTU4N70X2

Product Overview

Hersteller:

IXYS

Teilenummer:

IXTU4N70X2-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 700V 4A TO251
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 700 V 4A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-251-3

Inventar:

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13271056
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IXTU4N70X2 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Ultra X2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
386 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
80W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251-3
Paket / Koffer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basis-Produktnummer
IXTU4

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IXT(U,Y,A,P)4N70X2 Datasheet Building, Home Automation Appl Guide

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
70
Andere Namen
238-IXTU4N70X2

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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