Hersteller Produktnummer:
IXTT110N10L2-TRL
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTT110N10L2-TRL-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXTT)
Inventar:
12996358
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IXTT110N10L2-TRL Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
Linear L2™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10500 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
600W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-268 (IXTT)
Paket / Koffer
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Basis-Produktnummer
IXTT110
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
400
Andere Namen
238-IXTT110N10L2-TRLTR
238-IXTT110N10L2-TRLDKR
238-IXTT110N10L2-TRLCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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