Hersteller Produktnummer:
IXTQ80N28T
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTQ80N28T-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 280V 80A TO3P
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 280 V 80A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
12819577
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IXTQ80N28T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
280 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
49mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
IXTQ80
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDA59N25
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
535
TEILNUMMER
FDA59N25-DG
Einheitspreis
1.56
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ERSATZART
Direct
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