Hersteller Produktnummer:
IXTQ30N60P
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTQ30N60P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
12820359
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IXTQ30N60P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Polar
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5050 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
540W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
IXTQ30
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FQA24N60
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
270
TEILNUMMER
FQA24N60-DG
Einheitspreis
3.94
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