Hersteller Produktnummer:
IXTP2N60P
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTP2N60P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 2A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12821240
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Menge
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IXTP2N60P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
Polar™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.1Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
240 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
55W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IXTP2
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTP2N65X2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
67
TEILNUMMER
IXTP2N65X2-DG
Einheitspreis
1.11
ERSATZART
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