Hersteller Produktnummer:
IXTP24N65X2M
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTP24N65X2M-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Inventar:
295 Stück Neu Original Auf Lager
12909962
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IXTP24N65X2M Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Ultra X2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2060 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
37W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220 Isolated Tab
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis-Produktnummer
IXTP24
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
-IXTP24N65X2M
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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