Hersteller Produktnummer:
IXTP120N20X4
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTP120N20X4-DG
Beschreibung:
MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 120A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-220 (IXTP)
Inventar:
336 Stück Neu Original Auf Lager
12985773
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IXTP120N20X4 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
108 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6100 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
417W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220 (IXTP)
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IXTP120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
238-IXTP120N20X4
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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