Hersteller Produktnummer:
IXTP110N12T2
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTP110N12T2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 120V 110A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 120 V 110A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12820749
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IXTP110N12T2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
TrenchT2™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
120 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6570 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
517W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IXTP110
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDP2532
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
FDP2532-DG
Einheitspreis
1.60
ERSATZART
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