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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IXTK120P20T
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTK120P20T-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 200V 120A TO264
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 200 V 120A (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Inventar:
3 Stück Neu Original Auf Lager
12820179
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IXTK120P20T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
TrenchP™
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
740 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
73000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-264 (IXTK)
Paket / Koffer
TO-264-3, TO-264AA
Basis-Produktnummer
IXTK120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IXTx120P20T
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Andere Namen
-IXTK120P20T
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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