Hersteller Produktnummer:
IXTK120N20P
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTK120N20P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 120A TO264
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 120A (Tc) 714W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Inventar:
12819361
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Menge
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IXTK120N20P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Polar
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
714W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-264 (IXTK)
Paket / Koffer
TO-264-3, TO-264AA
Basis-Produktnummer
IXTK120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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