IXTH75N10
Hersteller Produktnummer:

IXTH75N10

Product Overview

Hersteller:

IXYS

Teilenummer:

IXTH75N10-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 75A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Inventar:

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IXTH75N10 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
MegaMOS™
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 37.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4500 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IXTH75

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IXT(H,M,T) 67N10, 75N10

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30
Andere Namen
IXTH75N10-NDR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
APT10M25BVRG
HERSTELLER
Microchip Technology
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
APT10M25BVRG-DG
Einheitspreis
9.30
ERSATZART
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HUF75652G3
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cr
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esd
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