IXTH30N50P
Hersteller Produktnummer:

IXTH30N50P

Product Overview

Hersteller:

IXYS

Teilenummer:

IXTH30N50P-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 500V 30A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 30A (Tc) 460W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Inventar:

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IXTH30N50P Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Polar
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4150 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
460W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IXTH30

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IXTH30N50P
HTML-Datenblatt
IXTH30N50P-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
STW19NM50N
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
337
TEILNUMMER
STW19NM50N-DG
Einheitspreis
3.02
ERSATZART
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Teilenummer
APT30F50B
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cr
certification_015
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