Hersteller Produktnummer:
IXTH182N055T
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTH182N055T-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 182A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 182A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventar:
12820991
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IXTH182N055T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
TrenchMV™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
182A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4850 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
360W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IXTH182
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFP2907PBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2867
TEILNUMMER
IRFP2907PBF-DG
Einheitspreis
2.55
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