Hersteller Produktnummer:
IXTH16N50D2
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTH16N50D2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 16A (Tc) 695W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventar:
291 Stück Neu Original Auf Lager
12916206
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IXTH16N50D2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Depletion
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
0V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 8A, 0V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
199 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5250 pF @ 25 V
FET-Funktion
Depletion Mode
Verlustleistung (max.)
695W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IXTH16
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SI7415DN-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
SUD50N02-06P-E3
MOSFET N-CH 20V 50A TO252
SQD23N06-31L_GE3
MOSFET N-CH 60V 23A TO252
