IXTF1R4N450
Hersteller Produktnummer:

IXTF1R4N450

Product Overview

Hersteller:

IXYS

Teilenummer:

IXTF1R4N450-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 4500V 1.4A I4PAC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 4500 V 1.4A (Tc) 190W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™

Inventar:

12821310
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IXTF1R4N450 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
4500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
40Ohm @ 50mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
6V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3300 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ISOPLUS i4-PAC™
Paket / Koffer
i4-Pac™-5 (3 Leads)
Basis-Produktnummer
IXTF1

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
25
Andere Namen
-IXTF1R4N450

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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