Hersteller Produktnummer:
IXTC180N085T
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTC180N085T-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 85 V 110A (Tc) 150W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Inventar:
12819161
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Menge
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IXTC180N085T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
85 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.1mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ISOPLUS220™
Paket / Koffer
ISOPLUS220™
Basis-Produktnummer
IXTC180
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPA057N08N3GXKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
450
TEILNUMMER
IPA057N08N3GXKSA1-DG
Einheitspreis
1.01
ERSATZART
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