IXTA6N50P
Hersteller Produktnummer:

IXTA6N50P

Product Overview

Hersteller:

IXYS

Teilenummer:

IXTA6N50P-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263AA

Inventar:

12819298
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IXTA6N50P Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
PolarHV™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
740 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263AA
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IXTA6

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IXTA8N65X2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
90
TEILNUMMER
IXTA8N65X2-DG
Einheitspreis
1.41
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