Hersteller Produktnummer:
IXTA6N100D2-TRL
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTA6N100D2-TRL-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 6A (Tj) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
13270855
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IXTA6N100D2-TRL Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
Depletion
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
0V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 3A, 0V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2650 pF @ 25 V
FET-Funktion
Depletion Mode
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IXTA6
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
238-IXTA6N100D2-TRLTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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