Hersteller Produktnummer:
IXTA1R4N120P
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTA1R4N120P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 1.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventar:
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IXTA1R4N120P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Polar
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
666 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
86W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263AA
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IXTA1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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