Hersteller Produktnummer:
IXTA1N200P3HV-TRL
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTA1N200P3HV-TRL-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263HV
Inventar:
13140410
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IXTA1N200P3HV-TRL Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
2000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
40Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
646 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263HV
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IXTA1
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
238-IXTA1N200P3HV-TRLDKR
238-IXTA1N200P3HVTRLTR
238-IXTA1N200P3HVTRLDKR
IXTA1N200P3HVTRL
238-IXTA1N200P3HV-TRLTR
238-IXTA1N200P3HVTRLTR-ND
238-IXTA1N200P3HVTRLCT
238-IXTA1N200P3HVTRLCT-ND
238-IXTA1N200P3HV-TRLCT
238-IXTA1N200P3HVTRLDKR-ND
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTT1N250HV-TRL
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXTT1N250HV-TRL-DG
Einheitspreis
31.96
ERSATZART
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