Hersteller Produktnummer:
IXTA1N170DHV
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTA1N170DHV-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1700 V 1A (Tc) 290W (Tc) Surface Mount TO-263HV
Inventar:
30 Stück Neu Original Auf Lager
12818835
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IXTA1N170DHV Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Depletion
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16Ohm @ 500mA, 0V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3090 pF @ 25 V
FET-Funktion
Depletion Mode
Verlustleistung (max.)
290W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263HV
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IXTA1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IXFT80N30P3
MOSFET N-CH 300V 80A TO-268
IXFK48N55
MOSFET N-CH 550V 48A TO264AA
IXFP3N50PM
MOSFET N-CH 500V 2.7A TO220AB
