Hersteller Produktnummer:
IXTA1N100
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTA1N100-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventar:
12819906
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IXTA1N100 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
54W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263AA
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IXTA1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTA1R4N100P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
20
TEILNUMMER
IXTA1R4N100P-DG
Einheitspreis
1.38
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IXFL70N60Q2
MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264
IXTA15N50L2
MOSFET N-CH 500V 15A TO263
IXTP120N075T2
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
