Hersteller Produktnummer:
IXFY4N60P3
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFY4N60P3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12914248
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IXFY4N60P3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerFET™, Polar3™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
365 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
114W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IXFY4
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
70
Andere Namen
-IXFY4N60P3
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD80R2K0P7ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
67
TEILNUMMER
IPD80R2K0P7ATMA1-DG
Einheitspreis
0.32
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Direct
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