Hersteller Produktnummer:
IXFX20N80Q
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFX20N80Q-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 20A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventar:
12908482
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IXFX20N80Q Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5100 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
360W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PLUS247™-3
Paket / Koffer
TO-247-3 Variant
Basis-Produktnummer
IXFX20
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFPC50APBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
4648
TEILNUMMER
IRFPC50APBF-DG
Einheitspreis
1.74
ERSATZART
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