Hersteller Produktnummer:
IXFX20N120
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFX20N120-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 780W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventar:
12821477
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IXFX20N120 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
780W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PLUS247™-3
Paket / Koffer
TO-247-3 Variant
Basis-Produktnummer
IXFX20
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IXTP64N055T
MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
IXFK170N10
MOSFET N-CH 100V 170A TO-264AA
IXTY1R6N50P
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
