Hersteller Produktnummer:
IXFX180N10
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFX180N10-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventar:
12820808
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IXFX180N10 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
390 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10900 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
560W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PLUS247™-3
Paket / Koffer
TO-247-3 Variant
Basis-Produktnummer
IXFX180
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
IXFX180N10-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTH240N15X4
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
1963
TEILNUMMER
IXTH240N15X4-DG
Einheitspreis
8.21
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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